| 型号： | IRFBE30STRR | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFBE30STRR PDF |  |
| 标准包装 | 800 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |